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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices | |
Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | ES6 | |
Numéro de produit de base | HN2C01 | |
Paquet/caisse | SOT-563, SOT-666 | |
Série | - | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
Fréquence - Transition | 60MHz | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100nA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 50V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150mA | |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) | |
Puissance - Max | 100mW | |
Autres noms | HN2C01FE-GR(T5LF)CT HN2C01FE-GR(T5LF)TR HN2C01FE-GR(T5LF)DKR |
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