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Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 600mA - 600mW Through Hole TO-78-6
Catégorie de produits | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices | |
Fabricant: | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Type de montage | Through Hole | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | TO-78-6 | |
Paquet/caisse | TO-78-6 Metal Can | |
Série | Military, MIL-PRF-19500/421 | |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA | |
Fréquence - Transition | - | |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA (ICBO) | |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 40V | |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA | |
Type de transistor | NPN, PNP | |
Puissance - Max | 600mW |
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