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à propos de KiCad
NTE2018
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
NOVA partie #:
298-2008993-NTE2018
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
NTE2018
Paquet Standard:
1
Fiche technique:
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Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA - 1W Through Hole 18-PDIP
| Catégorie de produits | Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices | |
| Fabricant: | NTE Electronics, Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -20°C ~ 85°C (TA) | |
| Type de montage | Through Hole | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 18-PDIP | |
| Paquet/caisse | 18-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| Série | - | |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 350mA, 500A | |
| Fréquence - Transition | - | |
| Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 50V | |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA | |
| Type de transistor | 8 NPN Darlington | |
| Puissance - Max | 1W | |
| Autres noms | 2368-NTE2018 |
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