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TH58BYG2S3HBAI6
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
NOVA partie #:
24-190503-TH58BYG2S3HBAI6
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
TH58BYG2S3HBAI6
Paquet Standard:
338
Fiche technique:
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FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25 ns 67-VFBGA (6.5x8)
| Catégorie de produits | Mémoire | |
| Fabricant: | Kioxia America, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 67-VFBGA (6.5x8) | |
| Numéro de produit de base | TH58BYG2 | |
| Série | Benand™ | |
| Formatage de la mémoire | FLASH | |
| Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) | |
| Interface mémoire | Parallel | |
| Temps de cycle d'écriture - mot, page | 25ns | |
| Temps d'accès | 25 ns | |
| Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V | |
| Paquet/caisse | 67-VFBGA | |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) | |
| Type de mémoire | Non-Volatile | |
| Autres noms | TH58BYG2S3HBAI6YCL TH58BYG2S3HBAI6JDH |
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