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à propos de KiCad
SSM6J512NU,LF
MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
NOVA partie #:
312-2285058-SSM6J512NU,LF
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SSM6J512NU,LF
Paquet Standard:
3,000
Fiche technique:
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P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 6-UDFNB (2x2) | |
| Numéro de produit de base | SSM6J512 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | U-MOSVII | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 8V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 4A, 8V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 4.5 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vg (Max) | ±10V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 12 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 6 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 1.25W (Ta) | |
| Autres noms | SSM6J512NU,LF(T SSM6J512NULFCT SSM6J512NULFTR SSM6J512NULFDKR SSM6J512NU,LF(B |
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