UJ3D06504TS

650V 4A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
NOVA partie #:
287-2378380-UJ3D06504TS
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
UJ3D06504TS
Paquet Standard:
50
Fiche technique:

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Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 4A (DC) Through Hole TO-220-2

More Information
Catégorie de produitsDiodes - Redresseurs - Simple
Fabricant:UnitedSiC
RoHS 1
VitesseNo Recovery Time > 500mA (Io)
Type de montageThrough Hole
Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220-2
Numéro de produit de base UJ3D06504
SérieGen-III
Courant - Moyenne redressée (Io) 4A (DC)
Paquet/caisseTO-220-2
Température de fonctionnement - Jonction-55°C ~ 175°C
Capacité @ Vr, F 118pF @ 1V, 1MHz
Courant - Fuite inverse @ Vr 25 µA @ 650 V
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 4 A
Type de diodeSilicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (Max)650 V
Temps de récupération inverse (trr) 0 ns
Autres noms2312-UJ3D06504TS

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