1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
NOVA partie #:
287-2365469-1N5809US
Pièce de fabricant non:
1N5809US
Paquet Standard:
1
Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

Diode Standard 100 V 3A Surface Mount B, SQ-MELF

More Information
Catégorie de produitsDiodes - Redresseurs - Simple
Fabricant:Microchip Technology
RoHS 1
VitesseFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Type de montageSurface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur B, SQ-MELF
Numéro de produit de base 1N5809
Série-
Courant - Moyenne redressée (Io) 3A
Paquet/caisseSQ-MELF, B
Température de fonctionnement - Jonction-65°C ~ 175°C
Capacité @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Courant - Fuite inverse @ Vr 5 µA @ 100 V
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If 875 mV @ 4 A
Type de diodeStandard
Tension - CC inverse (Vr) (Max)100 V
Temps de récupération inverse (trr) 30 ns

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