Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 300 mW Through Hole NS-B1
カテゴリ | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | |
製造元 | Panasonic Electronic Components | |
RoHS | 1 | |
パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | NS-B1 | |
基本製品番号 | UNR411 | |
シリーズ | - | |
抵抗 - ベース (R1) | 22 kOhms | |
抵抗 - エミッタ ベース (R2) | 22 kOhms | |
DC 電流利得 (hFE) (最小) @ Ic、Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
Vce 飽和 (最大) @ Ib、Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
周波数 - 遷移 | 80 MHz | |
パッケージ・ケース | 3-SIP | |
電流 - コレクタカットオフ (最大) | 500nA | |
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大) | 50 V | |
電流 - コレクタ (Ic) (最大) | 100 mA | |
トランジスタの種類 | PNP - Pre-Biased | |
パワー - 最大 | 300 mW | |
その他の名前 | UNR411200ACT UNR411200ACT-NDR UNR411200ATB UNR411200ATB-NDR UN4112-(TA) |
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