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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 300 mW Through Hole NS-B1
Kategorie | Transistoren – Bipolar (BJT) – einzeln, vorgespannt | |
Hersteller | Panasonic Electronic Components | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | NS-B1 | |
Basisproduktnummer | UNR411 | |
Serie | - | |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms | |
Widerstand – Emitterbasis (R2) | 22 kOhms | |
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
Häufigkeit – Übergang | 80 MHz | |
Paket/Koffer | 3-SIP | |
Strom – Kollektorabschaltung (max.) | 500nA | |
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) | 50 V | |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA | |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased | |
Leistung max | 300 mW | |
Andere Namen | UNR411200ACT UNR411200ACT-NDR UNR411200ATB UNR411200ATB-NDR UN4112-(TA) |
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