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IGBT - 600 V 155 A 536 W Through Hole -
Categoría | Transistores - IGBT - Únicos | |
Fabricante | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | - | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | - | |
Tipo de entrada | Standard | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 600 V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 155 A | |
Serie | - | |
Tipo de IGBT | - | |
Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 225 A | |
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A | |
Energía de conmutación | 2500µJ (on), 2140µJ (off) | |
Carga de la puerta | 485 nC | |
Td (encendido/apagado) @ 25°C | 47ns/385ns | |
Paquete / Caja | TO-264-3, TO-264AA | |
Potencia - Máx. | 536 W | |
Condición de prueba | 400V, 75A, 1Ohm, 15V | |
Otros nombres | APT75GN60B2DQ3G-ND 150-APT75GN60B2DQ3G |
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