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GT60N321(Q)
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Número de pieza NOVA:
310-2357300-GT60N321(Q)
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
GT60N321(Q)
Embalaje estándar:
100
Hoja de datos técnicos:
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IGBT - 1000 V 60 A 170 W Through Hole TO-3P(LH)
| Categoría | Transistores - IGBT - Únicos | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3P(LH) | |
| Número de producto base | GT60N321 | |
| Tipo de entrada | Standard | |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 1000 V | |
| Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 60 A | |
| Serie | - | |
| Tipo de IGBT | - | |
| Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 120 A | |
| Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A | |
| Energía de conmutación | - | |
| Td (encendido/apagado) @ 25°C | 330ns/700ns | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 2.5 µs | |
| Paquete / Caja | TO-3PL | |
| Potencia - Máx. | 170 W | |
| Condición de prueba | - |
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