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IGBT PT 600 V 183 A 780 W Through Hole
Categoría | Transistores - IGBT - Únicos | |
Fabricante | Microchip Technology | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Tipo de entrada | Standard | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 600 V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 183 A | |
Serie | POWER MOS 8™ | |
Tipo de IGBT | PT | |
Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 307 A | |
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A | |
Energía de conmutación | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) | |
Carga de la puerta | 294 nC | |
Td (encendido/apagado) @ 25°C | 28ns/212ns | |
Paquete / Caja | TO-247-3 Variant | |
Potencia - Máx. | 780 W | |
Condición de prueba | 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V |
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