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RJP65T54DPM-E0#T2
IGBT TRENCH TO-3FP
Número de pieza NOVA:
310-2357340-RJP65T54DPM-E0#T2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
RJP65T54DPM-E0#T2
Embalaje estándar:
1
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IGBT Trench 650 V 60 A 63.5 W Through Hole TO-3PF
| Categoría | Transistores - IGBT - Únicos | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3PF | |
| Tipo de entrada | Standard | |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 650 V | |
| Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 60 A | |
| Serie | - | |
| Tipo de IGBT | Trench | |
| Corriente - Colector Pulsado (Icm) | 225 A | |
| Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic | 1.68V @ 15V, 30A | |
| Energía de conmutación | 330µJ (on), 760µJ (off) | |
| Carga de la puerta | 72 nC | |
| Td (encendido/apagado) @ 25°C | 35ns/120ns | |
| Paquete / Caja | TO-3PFM, SC-93-3 | |
| Potencia - Máx. | 63.5 W | |
| Condición de prueba | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
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