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IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600 V 290 A 625 W Chassis Mount SP2
Categoría | Transistores - IGBT - Módulos | |
Fabricante | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Chassis Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | SP2 | |
Número de producto base | APTGT200 | |
Aporte | Standard | |
Configuración | Half Bridge | |
Serie | - | |
Corriente: corte del colector (máx.) | 50 µA | |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 12.3 nF @ 25 V | |
Termistor NTC | No | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 600 V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 290 A | |
Paquete / Caja | SP2 | |
Tipo de IGBT | Trench Field Stop | |
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A | |
Potencia - Máx. | 625 W | |
Otros nombres | 150-APTGT200A602G APTGT200A602G-ND |
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