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IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 1200 V 80 A 280 W Chassis Mount SP3
Categoría | Transistores - IGBT - Módulos | |
Fabricante | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Chassis Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | SP3 | |
Aporte | Standard | |
Configuración | Three Level Inverter - IGBT, FET | |
Serie | - | |
Corriente: corte del colector (máx.) | 1 mA | |
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce | 2.77 nF @ 25 V | |
Termistor NTC | Yes | |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.) | 1200 V | |
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) | 80 A | |
Paquete / Caja | SP3 | |
Tipo de IGBT | Trench Field Stop | |
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A | |
Potencia - Máx. | 280 W | |
Otros nombres | 150-APTCV90TL12T3G APTCV90TL12T3G-ND APTCV90TL12T3GMI-ND APTCV90TL12T3GMI |
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