FII50-12E

IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
Número de pieza NOVA:
305-2345171-FII50-12E
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FII50-12E
Embalaje estándar:
24
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

IGBT Array NPT Half Bridge 1200 V 50 A 200 W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

More Information
CategoríaTransistores - IGBT - Arreglos
FabricanteIXYS
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor ISOPLUS i4-PAC™
AporteStandard
ConfiguraciónHalf Bridge
Corriente: corte del colector (máx.)400 µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 2 nF @ 25 V
Termistor NTCNo
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.)1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 50 A
Serie-
Paquete / Cajai4-Pac™-5
Tipo de IGBTNPT
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A
Potencia - Máx. 200 W

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