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N-Channel 60 V 200A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Texas Instruments | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-3 | |
Número de producto base | CSD18536 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | NexFET™ | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 200A (Ta) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-220-3 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11430 pF @ 30 V | |
Disipación de energía (máx.) | 375W (Tc) | |
Otros nombres | CSD18536KCS-ND TEXTISCSD18536KCS 296-47185 2156-CSD18536KCS |
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