FDN363N

N-CHANNEL POWER MOSFET
Número de pieza NOVA:
312-2269103-FDN363N
Número de parte del fabricante:
FDN363N
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 100 V 1A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SuperSOT™-3

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteFairchild Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SuperSOT™-3
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SeriePowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 240mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 5.2 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 200 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.) 500mW (Tc)
Otros nombres2156-FDN363N
FAIFSCFDN363N

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