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FDT86113LZ
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Número de pieza NOVA:
312-2264251-FDT86113LZ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDT86113LZ
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 100 V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-223-4 | |
| Número de producto base | FDT86113 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | PowerTrench® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3.3A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 315 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.2W (Ta) | |
| Otros nombres | FDT86113LZDKR FDT86113LZCT FDT86113LZ-ND FDT86113LZTR |
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