SPB20N60C3ATMA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3
Número de pieza NOVA:
312-2283537-SPB20N60C3ATMA1
Número de parte del fabricante:
SPB20N60C3ATMA1
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteInfineon Technologies
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Número de producto base SPB20N60
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieCoolMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 20.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3.9V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 114 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.) 208W (Tc)
Otros nombresSPB20N60C3INTR-ND
SPB20N60C3ATMA1DKR
SPB20N60C3INCT-ND
SPB20N60C3INDKR-ND
SPB20N60C3ATMA1CT
SPB20N60C3INCT
SPB20N60C3XT-ND
SP000013520
SPB20N60C3
SPB20N60C3XT
SPB20N60C3INTR
SPB20N60C3INDKR
SPB20N60C3ATMA1TR

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