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SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Número de pieza NOVA:
312-2299714-SCTW40N120G2V
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SCTW40N120G2V
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 1200 V 36A (Tc) 278W (Tc) Through Hole HiP247™
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | HiP247™ | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 18V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.9V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 61 nC @ 18 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1233 pF @ 800 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 278W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-SCTW40N120G2V |
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