SIR626DP-T1-RE3

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MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8

Número de pieza NOVA:

312-2280906-SIR626DP-T1-RE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIR626DP-T1-RE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SIR626
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	78 nC @ 7.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5130 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	104W (Tc)
Otros nombres	SIR626DP-T1-RE3DKR SIR626DP-T1-RE3TR SIR626DP-T1-RE3CT