G3R350MT12D

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SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Número de pieza NOVA:

312-2263413-G3R350MT12D

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

G3R350MT12D

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 1200 V 11A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247-3
Número de producto base	G3R350
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	G3R™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	420mOhm @ 4A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.69V @ 2mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	12 nC @ 15 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-247-3
Vgs (Máx.)	±15V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	334 pF @ 800 V
Disipación de energía (máx.)	74W (Tc)
Otros nombres	1242-G3R350MT12D