SIR826ADP-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Número de pieza NOVA:

312-2282436-SIR826ADP-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SIR826ADP-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 80 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SIR826
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2800 pF @ 40 V
Disipación de energía (máx.)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Otros nombres	SIR826ADPT1GE3 SIR826ADP-T1-GE3DKR SIR826ADP-T1-GE3CT SIR826ADP-T1-GE3TR