SI2319DS-T1-GE3

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MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

Número de pieza NOVA:

312-2285512-SI2319DS-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI2319DS-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 40 V 2.3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número de producto base	SI2319
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	82mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	470 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)	750mW (Ta)
Otros nombres	SI2319DS-T1-GE3CT SI2319DS-T1-GE3TR SI2319DS-T1-GE3DKR SI2319DS-T1-GE3-ND