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STD10P6F6
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2285561-STD10P6F6
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STD10P6F6
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 60 V 10A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Número de producto base | STD10 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.4 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 340 pF @ 48 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 35W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-13424-6 497-13424-1 497-13424-2 |
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