Aluminio
águila
Okad
Forro
Kikad
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Número de pieza NOVA:
312-2283971-G2R50MT33K
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
G2R50MT33K
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
Formato de descarga disponible
Complete su formulario en el formulario y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible y le daremos el modelo cad.
N-Channel 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Through Hole TO-247-4
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-4 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | G2R™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 63A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 10mA (Typ) | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 340 nC @ 20 V | |
| Función FET | Standard | |
| Paquete / Caja | TO-247-4 | |
| Vgs (Máx.) | +25V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 3300 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7301 pF @ 1000 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 536W (Tc) | |
| Otros nombres | 1242-G2R50MT33K |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
LSIC1MO120E0080Littelfuse Inc.
GC50MPS33HGeneSiC Semiconductor
UJ3N120035K3SUnitedSiC
GB05MPS33-263GeneSiC Semiconductor
UF3SC120009K4SUnitedSiC- G2R1000MT33JGeneSiC Semiconductor
C3M0021120DWolfspeed, Inc.- UF3SC120016K4SUnitedSiC
- G2R120MT33JGeneSiC Semiconductor
IXTL2N470IXYS
IXTL2N450IXYS
BSM250D17P2E004Rohm Semiconductor
IXYH30N450HVIXYS
IXYX40N450HVIXYS
C2M0045170DWolfspeed, Inc.
