IRFS4115PBF

HEXFET POWER MOSFET
Número de pieza NOVA:
312-2297509-IRFS4115PBF
Número de parte del fabricante:
IRFS4115PBF
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteInternational Rectifier
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D2PAK
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieHEXFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 195A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 12.1mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 120 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)150 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5270 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.) 375W (Tc)
Otros nombres2156-IRFS4115PBF
IFEIRFIRFS4115PBF

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