CSD19537Q3T

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Número de pieza NOVA:
312-2281093-CSD19537Q3T
Número de parte del fabricante:
CSD19537Q3T
Embalaje estándar:
250
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 100 V 50A (Ta) 2.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)

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CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteTexas Instruments
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-VSON (3.3x3.3)
Número de producto base CSD19537Q3
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieNexFET™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 50A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / Caja8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1680 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.) 2.8W (Ta), 83W (Tc)
Otros nombres296-42632-6
296-42632-1
296-42632-2

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