IPB60R055CFD7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 38A TO263-3-2

Número de pieza NOVA:

312-2278598-IPB60R055CFD7ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPB60R055CFD7ATMA1

Embalaje estándar:

1,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 650 V 38A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Número de producto base	IPB60R055
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ CFD7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	38A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	55mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4.5V @ 900µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	79 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3194 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	178W (Tc)
Otros nombres	448-IPB60R055CFD7ATMA1DKR SP002621130 448-IPB60R055CFD7ATMA1CT 448-IPB60R055CFD7ATMA1TR