EPC2012C

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GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

Número de pieza NOVA:

312-2263127-EPC2012C

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

EPC2012C

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 200 V 5A (Ta) - Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	EPC
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	Die Outline (4-Solder Bar)
Número de producto base	EPC2012
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Serie	eGaN®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	1.3 nC @ 5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	Die
Vgs (Máx.)	+6V, -4V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	140 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.)	-
Otros nombres	917-1084-1 917-1084-2 917-1084-6