SQM120P10_10M1LGE3

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MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Número de pieza NOVA:

312-2283017-SQM120P10_10M1LGE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SQM120P10_10M1LGE3

Embalaje estándar:

800

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263 (D²Pak)
Número de producto base	SQM120
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	10.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	190 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	9000 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	375W (Tc)
Otros nombres	SQM120P10_10M1LGE3-ND SQM120P10 10M1LGE3 SQM120P10_10M1LGE3TR SQM120P10_10M1LGE3CT SQM120P10_10M1LGE3DKR