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CSD19538Q3AT
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Número de pieza NOVA:
312-2361601-CSD19538Q3AT
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
CSD19538Q3AT
Embalaje estándar:
250
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 100 V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-VSONP (3x3.3) | |
| Número de producto base | CSD19538 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 15A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.8V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 454 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.8W (Ta), 23W (Tc) | |
| Otros nombres | 296-44473-6 296-44473-2 296-44473-1 |
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