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RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Número de pieza NOVA:
312-2298697-RE1C002ZPTL
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
RE1C002ZPTL
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | EMT3F (SOT-416FL) | |
| Número de producto base | RE1C002 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 100µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 1.4 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SC-89, SOT-490 | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 115 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 150mW (Ta) | |
| Otros nombres | RE1C002ZPTLDKR RE1C002ZPTLTR RE1C002ZPTLCT |
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