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STQ2LN60K3-AP
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Número de pieza NOVA:
312-2285190-STQ2LN60K3-AP
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
STQ2LN60K3-AP
Embalaje estándar:
2,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92-3 | |
| Número de producto base | STQ2LN60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SuperMESH3™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 600mA (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 50µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 235 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Tc) | |
| Otros nombres | 497-STQ2LN60K3-APTB 497-13391-1-ND -497-13391-3 -497-13391-1 497-STQ2LN60K3-APCT 497-13391-3-ND 497-13391-1 497-13391-3 STQ2LN60K3AP |
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