SISS76LDN-T1-GE3

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MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK

Número de pieza NOVA:

312-2361471-SISS76LDN-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SISS76LDN-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8SH
Número de producto base	SISS76
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	19.6A (Ta), 67.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	6.25mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	33.5 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8SH
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	70 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2780 pF @ 35 V
Disipación de energía (máx.)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
Otros nombres	742-SISS76LDN-T1-GE3DKR 742-SISS76LDN-T1-GE3CT 742-SISS76LDN-T1-GE3TR

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