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N-Channel 40 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Through Hole TO-262
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | NEC Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | 175°C | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-262 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 40A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6900 pF @ 25 V | |
Disipación de energía (máx.) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) | |
Otros nombres | 2156-NP80N04NDG-S18-AY-NEC RENNECNP80N04NDG-S18-AY |
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