TPH3206LDB

GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2337204-TPH3206LDB
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPH3206LDB
Embalaje estándar:
60
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteTransphorm
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PQFN (8x8)
TecnologíaGaNFET (Gallium Nitride)
Serie-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 16A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.6V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Función FET-
Paquete / Caja4-PowerDFN
Vgs (Máx.)±18V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 720 pF @ 480 V
Disipación de energía (máx.) 81W (Tc)

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