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NP32N055SLE-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 32A TO252
Número de pieza NOVA:
312-2330445-NP32N055SLE-E1-AY
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NP32N055SLE-E1-AY
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 55 V 32A (Tc) 1.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252 (MP-3ZK) | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 32A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 41 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 55 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2000 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.2W (Ta), 66W (Tc) |
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