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TK62N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Número de pieza NOVA:
312-2293799-TK62N60W,S1VF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TK62N60W,S1VF
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 | |
| Número de producto base | TK62N60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 61.8A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 30.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.7V @ 3.1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| Función FET | Super Junction | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6500 pF @ 300 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 400W (Tc) | |
| Otros nombres | TK62N60W,S1VF(S TK62N60WS1VF |
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