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PSMN1R5-25YL,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Número de pieza NOVA:
312-2278851-PSMN1R5-25YL,115
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PSMN1R5-25YL,115
Embalaje estándar:
1,500
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 25 V 100A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Número de producto base | PSMN1R5 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.15V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4830 pF @ 12 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 109W (Tc) | |
| Otros nombres | 934063451115 568-4907-6-ND 568-4907-2 568-4907-1-ND 568-4907-2-ND 568-4907-1 1727-4275-1 568-4907-6 1727-4275-2 1727-4275-6 |
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