IPB65R190C7ATMA2

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MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3

Número de pieza NOVA:

312-2288864-IPB65R190C7ATMA2

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPB65R190C7ATMA2

Embalaje estándar:

1,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Número de producto base	IPB65R190
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ C7
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 290µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1150 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.)	72W (Tc)
Otros nombres	IPB65R190C7ATMA2CT INFINFIPB65R190C7ATMA2 2156-IPB65R190C7ATMA2 IPB65R190C7ATMA2DKR IPB65R190C7ATMA2TR SP002447550