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SSM3J356R,LF
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Número de pieza NOVA:
312-2281496-SSM3J356R,LF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SSM3J356R,LF
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23F | |
| Número de producto base | SSM3J356 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVI | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-3 Flat Leads | |
| Vgs (Máx.) | +10V, -20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 330 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1W (Ta) | |
| Otros nombres | SSM3J356RLFTR SSM3J356R,LF(B SSM3J356RLFDKR SSM3J356RLFCT SSM3J356R,LF(T |
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