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TPC6010-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
Número de pieza NOVA:
312-2330585-TPC6010-H(TE85L,FM
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPC6010-H(TE85L,FM
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 60 V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | VS-6 (2.9x2.8) | |
| Número de producto base | TPC6010 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVI-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6.1A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.3V @ 100µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 830 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta) | |
| Otros nombres | TPC6010-H(TE85LFM TPC6010HTE85LFM |
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