BSZ018NE2LSIATMA1

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MOSFET N-CH 25V 22A/40A TSDSON

Número de pieza NOVA:

312-2276785-BSZ018NE2LSIATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSZ018NE2LSIATMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 25 V 22A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8-FL
Número de producto base	BSZ018
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	22A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2500 pF @ 12 V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Otros nombres	BSZ018NE2LSIDKR BSZ018NE2LSICT-ND BSZ018NE2LSIATMA1CT BSZ018NE2LSIATMA1DKR SP000906032 BSZ018NE2LSICT BSZ018NE2LSIATMA1TR BSZ018NE2LSIDKR-ND 2156-BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSI BSZ018NE2LSI-ND IFEINFBSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSITR-ND