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NTD4979N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Número de pieza NOVA:
312-2301908-NTD4979N-35G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTD4979N-35G
Embalaje estándar:
75
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole I-PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-PAK | |
| Número de producto base | NTD4979 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 41A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 837 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) | |
| Otros nombres | ONSONSNTD4979N-35G 2156-NTD4979N-35G-OS |
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