TPH3208LD

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2338279-TPH3208LD
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPH3208LD
Embalaje estándar:
60
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteTransphorm
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 4-PQFN (8x8)
TecnologíaGaNFET (Gallium Nitride)
Serie-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.6V @ 300µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 14 nC @ 8 V
Función FET-
Paquete / Caja4-PowerDFN
Vgs (Máx.)±18V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 760 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.) 96W (Tc)

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