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CSD16415Q5
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Número de pieza NOVA:
312-2288693-CSD16415Q5
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
CSD16415Q5
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 25 V 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-VSON-CLIP (5x6) | |
| Número de producto base | CSD16415 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | NexFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.9V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | +16V, -12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4100 pF @ 12.5 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.2W (Ta) | |
| Otros nombres | -CSD16415Q5-NDR -296-30139-1 TEXTISCSD16415Q5 -CSD16415Q5-ND 296-30139-1 296-30139-2 CSD16415Q5-ND -296-30139-1-ND 2156-CSD16415Q5 296-30139-6 |
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