IPD80R2K7C3AATMA1

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MOSFET N-CH TO252-3

Número de pieza NOVA:

312-2295350-IPD80R2K7C3AATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPD80R2K7C3AATMA1

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount D-Pak

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D-Pak
Número de producto base	IPD80R2
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.9V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	1.5 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	290 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.)	42W (Tc)
Otros nombres	INFINFIPD80R2K7C3AATMA1 2156-IPD80R2K7C3AATMA1 SP001065818 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR IPD80R2K7C3AATMA1-ND 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT