IXTP08N100D2

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MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

Número de pieza NOVA:

312-2288875-IXTP08N100D2

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IXTP08N100D2

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	IXYS
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220-3
Número de producto base	IXTP08
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Depletion
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	800mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	-
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	14.6 nC @ 5 V
Función FET	Depletion Mode
Paquete / Caja	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1000 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	325 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	60W (Tc)